對于信越、LG化學(xué)的垂死掙扎，黃豪杰沒有在意。
因為對于銀河科技而言，硅片的面積已經(jīng)失去了意義。
如果需要，中子星公司隨時生產(chǎn)大面積的方晶片，所以就算是信越、LG化學(xué)他們研發(fā)出來18英寸圓晶片，也于事無補。
中子星材料公司的方晶片全面領(lǐng)先圓晶片，是勢不可擋的大勢，他們的垂死掙扎不過是螳臂當(dāng)車罷了。
現(xiàn)在黃豪杰正在銀河科技的半導(dǎo)體研究所之中。
銀河科技自己招聘的一百多個半導(dǎo)體專業(yè)的畢業(yè)生，加上五個從國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)挖過來的工程師或者研究員，加上張汝京帶過來十幾個工程師和研究員。
盡管銀河科技的半導(dǎo)體研究所，現(xiàn)在只有一百多人，但是麻雀雖小，五臟俱全。
黃豪杰看著有條不紊的半導(dǎo)體研究所滿意的點了點頭。
“李想，你們對于C31搬運其他的芯片物質(zhì)的機制，研究得怎么樣?”
李想提了提眼鏡略帶興奮的回道：“這個C31富勒烯可以搬運制作芯片的絕大部分原材料，其他一小部分就算是不能搬運，我們也可以采用可以搬運的原材料進行替代。”
“非常好?！?p> “老板，我覺得你的這個發(fā)明可以獲得炸藥獎?！币粋€地中海研究員贊嘆不已。
“炸藥獎又如何?我不需要這種東西。”黃豪杰不是真正的科班出身，對于炸藥獎這種東西并沒有太在意。
……一眾研究員和工程師頓時無語凝噎，別人擠破腦袋都想獲得炸藥獎，自己老板倒好，一點都不在乎。
黃豪杰和一眾工程師，正在研發(fā)一種有別于目前的芯片工藝的芯片制作工藝。
一般來說，芯片制造廠的制作芯片，都是直接從硅片廠購買硅片的，而不會自己生產(chǎn)。
芯片制造廠先會檢查硅片，經(jīng)過檢查無破損后即可投入生產(chǎn)線上，前期可能還有各種成膜工藝，然后就進入到涂抹光刻膠環(huán)節(jié)。
微影光刻工藝是一種圖形影印技術(shù)，也是集成電路制造工藝中一項關(guān)鍵工藝。
首先將光刻膠(感光性樹脂)滴在硅晶圓片上，通過高速旋轉(zhuǎn)均勻涂抹成光刻膠薄膜，并施加以適當(dāng)?shù)臏囟裙袒饪棠z薄膜。
光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照后發(fā)生化學(xué)性質(zhì)的改變，這是整個工藝的基礎(chǔ)。
接下來就是紫外線曝光。
就單項技術(shù)工藝來說，光刻工藝環(huán)節(jié)是最為復(fù)雜的，成本最為高昂的。
因為光刻模板、透鏡、光源共同決定了“印”在光刻膠上晶體管的尺寸大小。
將涂好光刻膠的硅片放入步進重復(fù)曝光機的曝光裝置中進行掩模圖形的“復(fù)制”。
掩模中有預(yù)先設(shè)計好的電路圖案，紫外線透過掩模經(jīng)過特制透鏡折射后，在光刻膠層上形成掩模中的電路圖案。
一般來說，在硅片上得到的電路圖案是掩模上的圖案1/10、1/5、1/4，因此步進重復(fù)曝光機也稱為“縮小投影曝光裝置”。
而決定步進重復(fù)曝光機性能有兩大要素：一個是光的波長，另一個是透鏡的數(shù)值孔徑。
如果想要縮小硅片上的晶體管尺寸，就需要尋找能合理使用的波長更短的光(EUV，極紫外線)和數(shù)值孔徑更大的透鏡(受透鏡材質(zhì)影響，有極限值)。
溶解部分光刻膠，對曝光后的硅片進行顯影處理。
以正光刻膠為例，噴射強堿性顯影液后，經(jīng)紫外光照射的光刻膠會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在堿溶液作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，溶解于顯影液中，而未被照射到的光刻膠圖形則會完整保留。
顯影完畢后，要對硅片表面的進行沖洗，送入烘箱進行熱處理，蒸發(fā)水分以及固化光刻膠。
然后進入蝕刻階段。
將硅片浸入內(nèi)含蝕刻藥劑的特制刻蝕槽內(nèi)，可以溶解掉暴露出來的硅片部分，而剩下的光刻膠保護著不需要蝕刻的部分。
期間施加超聲振動，加速去除硅片表面附著的雜質(zhì)，防止刻蝕產(chǎn)物在硅片表面停留造成刻蝕不均勻。
下一步是清除光刻膠。
通過氧等離子體對光刻膠進行灰化處理，去除所有光刻膠。
此時就可以完成第一層設(shè)計好的電路圖案。
重復(fù)第6-8步，由于現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)3D FinFET設(shè)計，不可能一次性就能制作出所需的圖形，需要重復(fù)第6-8步進行處理，中間還會有各種成膜工藝(絕緣膜、金屬膜)參與到其中，以獲得最終的3D晶體管。
接下來是離子注入階段。
在特定的區(qū)域，有意識地導(dǎo)入特定雜質(zhì)的過程稱為“雜質(zhì)擴散”。
通過雜質(zhì)擴散可以控制導(dǎo)電類型(P結(jié)、N結(jié))之外，還可以用來控制雜質(zhì)濃度以及分布。
現(xiàn)在一般采用離子注入法進行雜質(zhì)擴散，在離子注入機中，將需要摻雜的導(dǎo)電性雜質(zhì)導(dǎo)入電弧室，通過放電使其離子化，經(jīng)過電場加速后，將數(shù)十到數(shù)千keV能量的離子束由硅片表面注入。
離子注入完畢后的硅片還需要經(jīng)過熱處理，一方面利用熱擴散原理進一步將雜質(zhì)“壓入”硅中，另一方面恢復(fù)晶格完整性，活化雜質(zhì)電氣特性。
離子注入法具有加工溫度低，可均勻、大面積注入雜質(zhì)，易于控制等優(yōu)點，因此成為超大規(guī)模集成電路中不可缺少的工藝。
再次清除光刻膠。完成離子注入后，可以清除掉選擇性摻雜殘留下來的光刻膠掩模。
此時，單晶硅內(nèi)部一小部分硅原子已經(jīng)被替換成“雜質(zhì)”元素，從而產(chǎn)生可自由電子或空穴。
絕緣層處理，此時晶體管雛形已經(jīng)基本完成，利用氣相沉積法，在硅晶圓表面全面地沉積一層氧化硅膜，形成絕緣層。
同樣利用光刻掩模技術(shù)在層間絕緣膜上開孔，以便引出導(dǎo)體電極。
沉淀銅層，利用濺射沉積法，在硅片整個表面上沉積布線用的銅層，繼續(xù)使用光刻掩模技術(shù)對銅層進行雕刻，形成場效應(yīng)管的源極、漏極、柵極。
最后在整個硅片表面沉積一層絕緣層以保護晶體管。
構(gòu)建晶體管之間連接電路。
經(jīng)過漫長的工藝，數(shù)以十億計的晶體管已經(jīng)制作完成。
剩下的就是如何將這些晶體管連接起來的問題了。
同樣是先形成一層銅層，然后光刻掩模、蝕刻開孔等精細操作，再沉積下一層銅層。
這樣的工序反復(fù)進行多次，這要視乎芯片的晶體管規(guī)模、復(fù)制程度而定。
最終形成極其復(fù)雜的多層連接電路網(wǎng)絡(luò)。
由于現(xiàn)在IC包含各種精細化的元件以及龐大的互聯(lián)電路，結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，實際電路層數(shù)已經(jīng)高達30層，表面各種凹凸不平越來越多，高低差異很大，因此開發(fā)出CMP化學(xué)機械拋光技術(shù)。
每完成一層電路就進行CMP磨平。
另外為了順利完成多層Cu立體化布線，開發(fā)出大馬士革法新的布線方式，鍍上阻擋金屬層后，整體濺鍍Cu膜，再利用CMP將布線之外的Cu和阻擋金屬層去除干凈，形成所需布線。
芯片電路到此已經(jīng)基本完成，其中經(jīng)歷幾百道不同工藝加工，而且全部都是基于精細化操作，任何一個地方出錯都會導(dǎo)致整片硅片報廢，在100多平方毫米的硅片上制造出數(shù)十億個晶體管，是人類有文明以來的所有智慧的結(jié)晶。
而弄得這么復(fù)雜，幾百道工序下來，不過是為了在硅片上面，雕刻紋路，注入導(dǎo)電雜質(zhì)，形成開關(guān)。