微電子系接下來兩個課題。
其一，把光刻精度從現(xiàn)在的100納米提高到80納米，并試著增加光刻規(guī)模。
光刻精度提升之后，晶體管會變得更小，相同數(shù)量的晶體管耗電量也會下降，現(xiàn)在的圖形控制芯片耗電量為42瓦，單純提高精度至80納米，不調(diào)整構(gòu)架，保持相同數(shù)量晶體管時，最優(yōu)解功耗會降低至27瓦。
精度提高之后才輪到規(guī)模，每次精度的提升都是換代，為了保證良品率，規(guī)模都要重新從小...
微電子系接下來兩個課題。
其一，把光刻精度從現(xiàn)在的100納米提高到80納米，并試著增加光刻規(guī)模。
光刻精度提升之后，晶體管會變得更小，相同數(shù)量的晶體管耗電量也會下降，現(xiàn)在的圖形控制芯片耗電量為42瓦，單純提高精度至80納米，不調(diào)整構(gòu)架，保持相同數(shù)量晶體管時，最優(yōu)解功耗會降低至27瓦。
精度提高之后才輪到規(guī)模，每次精度的提升都是換代，為了保證良品率，規(guī)模都要重新從小...